名称：纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究
作者:赵晓锋
出版社:黑龙江大学出版社
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纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究内容简介
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纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究部分内容
第1章 绪论
1.2 多功能传感器研究现状
随着传感器及微加工技术的发展，人们可以在同一衬底材料上制作几种敏感元器件，制成可以或许检测多个参量的集成化多功能传感器。多功能传感器主要有以下几种不同的工作原理及结构形式：几种不同的敏感元器件制作在同一个硅片上，制成集成化多功能传感器，该种传感器集成度高、体积小，各个敏感元器件的工作氛围相同，轻易实现补偿和校正，这是多功能传感器发展的一个方向；几种不同的敏感元器件组合在一起形成一个传感器，可以同时丈量几个参数，各敏感元器件是自力的，如将丈量温度和丈量湿度敏感元件组合在一起，构成温湿度多功能传感器；用同一个敏感元器件的不同效应，得到不同的信息，如将线圈作为敏感元件，在具有不同磁导率或介电常数物质的感化下，表现出不同的电容和电感。参加国家自然科学基金项目1项，承当黑龙江省教育厅项目1项，承当并完成黑龙江省电子工程重点实验室项目、黑龙江年夜学青年科学基金项目、黑龙江年夜学教改项目各1项。有的多功能传感器检测出的几个信息混在一起，需要用信号处置的方法将各种信息进行分离。
本书在温殿忠教授提出的JFET压／磁电效应根基理论根本上，给出MOSFETs压／磁多功能传感器在外加压力P≠O、外加磁场B=O；外加压力P≠O、外加磁场B=O；外加压力P≠O、外加磁场8≠O；外加压力P≠O、外加磁场B≠O四种情况下的根基理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅／单晶硅异质结为源极(S)和漏极(D)的MOSFETs压／磁多功能传感器。本书设计、制作的纳米硅／单晶硅异质结MOSFETs压／磁多功能传感器可以或许完成压力和磁场的检测，具有良好的压敏特性和磁敏特性，可实现压／磁检测的集成化和一体化，对传感器的小型化、多功能化、集成化和一体化发展具有重要意义。
赵晓锋，男，黑龙江省兰西县人，工学博士，黑龙江年夜学电子工程学院副教授，硕士研究生导师。同一个敏感元件在不同鼓励下表现出不同特性，例如传感器施加不同的鼓励电压、电流，在不同温度下，其特性不同，有时可相当于几个不同的传感器。在SCl、El等学术期刊上颁发学术论文14篇，参加主编教材1部，申请发现专利1项。《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》pdf书免费下载。本站的pdf电子书《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》主要是由网络收集整理来的，最终著作权仍归属于原书的作者赵晓锋和出版商。如果您喜欢这本书，请多多支持我们的图书出版事业，让辛苦写书的作者得到应有的回报。在此也要感谢黑龙江大学出版社，感谢出版社为《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》的出版所做的工作。本站只提供图书的试读版，同时欢迎更多的爱好读书的朋友来电子书下载网来分享更多好看的pdf电子书，免费下载您所需要的电子书籍。最后衷心感谢您下载《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》pdf版免费电子书。
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