名称：SOI－纳米技术时代的高端硅基材料
作者:林成鲁
出版社:中国科学技术大学出版社
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SOI－纳米技术时代的高端硅基材料内容简介
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SOI－纳米技术时代的高端硅基材料部分内容
林成鲁，1965年结业于中国科技年夜学近代化学系，现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师，上海新傲科技有限公司总工程师。持久从事高端硅基半导体新材料SOI(silicon on insulator)的研究。20世纪80年月，在国内率先展开SOI技术根本研究；90年月，作为SOI立异项目总设计师，组织领导突破SOI材料工程化的关键技术；2001年起头，作为新傲公司总工程师，为成功实现SOI研究成果转化，打破国外的技术封锁，为建成国内唯一的SOI材料工业化生产线做出了重要贡献，实现了我国微电子材料的跨..绝缘体上硅（silicon on insulator，soi）技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子范畴发展的前沿，被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。本书收集的纳米技术时代的高端硅基soi材料方面的研究论文40篇，主要内容包括：soi——纳米技术时代的高端硅基材料进展，soi新材料的制备科学，soi材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅（silicon germanium on insulator，sgoi）新结构和应变硅的制备科学，soi技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿范畴的多方面立异研究成果。
SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展
纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI
1 纳米技术时代的高端衬底材料
集成电路的特征尺寸在1999年起头缩小到亚100纳米，英特尔在2006年6月实现了90纳米与65纳米的“制造代替”，65纳米技术代的微处置器由物理栅长仅为35纳米的近三亿只金属一氧化膜一半导体场效应晶体管组成，实现了在芯片生产方面的里程碑式的跨越。工业技术免费下载电子书《SOI－纳米技术时代的高端硅基材料》的作者林成鲁和中国科学技术年夜学出书社为本书的写作出书都付出了很多汗水。本书属今世科学技术根本理论与前沿问题研究丛书:中国科学技术年夜学校友文库。
本书可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的年夜专院校师生和专业技术人员重要的参考书，也可以作为信息范畴其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。Intel于2007年1月底发布了其45纳米技术时代MOSFET的几项关键技术的解决方案，包括采用全新的高介电常数栅介质和金属栅极材料；2007年10月Intel启动支持45nm工艺的首个300 mm晶圆量产工场。根据“国际半导体技术发展路图”的预测，摩尔定律所预测的高速发展至少将持续到2020年，那时的晶体管物理栅长将是6纳米。在6年后的2013年，集成电路将进入32纳米技术时代，并于2016年进入22纳米技术时代。随着芯片集成度的进一步提高，即器件特征尺寸的进一步缩小将会面临年夜量来自传统工作模式、传统材料甚至传统器件物理根本等方面的问题，因此必需在器件物理、材料、器件结构、关键工艺、集成技术等根本研究范畴寻求突破。
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