名称：太阳能光伏产业:半导体硅材料基础
作者:未知
出版社:化学工业出版社
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太阳能光伏产业:半导体硅材料基础内容简介

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太阳能光伏产业:半导体硅材料基础部分内容

第1章概论
　　1.1硅材料工业的发展
　　 硅在自然界中通常以化合物形态存在，直到20世纪，人们才发现硅具有半导体性质。
　　 1917年切克劳斯基发现了拉晶方法，于1950年被蒂尔和里特尔两人应用于拉制锗单晶及硅单晶，这就是今朝应用普遍的直拉法，即Cz法。1952年普凡发现了区熔法，即Fz法。
　　 1947年12月巴第恩等人发现了晶体管，正式拉开了半导体时代的序幕。1954年，蒂尔成功地研制出了世界第一只硅单晶晶体管，1958年，基尔比发现了集成电路，揭开了半导体时代新的一页，奠基了信息时代的根本。此后，半导体工业得到了迅速发展，电路的集成度越来越高，集成电路从小范围，发展到中范围、年夜范围，进而发展到超年夜范围。今朝，已能在一个芯片上集成1O5～109个晶体管，其特征工艺线宽已到达几十纳米级。
　　 硅材料是信息财产的重要根本材料，全球半导体器件中有95％是用硅材料制成的，其中85％的集成电路是由硅材料制成的。随着集成电路的迅速发展，硅材料的研制也得到了迅速发展，其纯度越来越高，对金属杂质而言，已到达10～11个“9”；结构越来越完美，从有位错单晶发展到无位错单晶，进而对削减晶体中的微缺点也进行了普遍而深入的研究，并成功地得到了控制。硅单晶的直径也越来越年夜，今朝直径为300mm的用于制作集成电路的硅单晶也已商品化，直径为450mm的硅单晶正处于研制阶段。
　　 在国内，1957年北京××研究总院起头从事半导体硅材料的研究工作。硅片加工技术也相应得到了发展，加工精度也越来越高。1958年10月在北京××研究总院成立了中国第一个硅材料研究室，系统地展开了多晶硅、单晶硅的研制及硅材料性能的研究工作，并研制出了中国第一支直拉硅单晶。工业技术类书籍《太阳能光伏财产:半导体硅材料根本》电子书下载pdf。本书系统地介绍了半导体硅材料的基赋性质、与半导体晶体材料相关的晶体几何学、能带理论、微电子学方面的根本理论知识，系统地介绍了作为光伏技术应用的硅材料的制备根本理论知识，为系统学习多晶硅生产技术和单晶硅及硅片加工技术奠基理论根本，是硅材料技术专业的焦点教材。
　　 本书可作为高职高专硅材料技术及光伏专业的教材，同时也可作为中专、技校和从事单晶硅生产的企业员工的培训教材，还可供相关专业工程技术人员学习参考。
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